SGM0410 Todos los transistores

 

SGM0410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM0410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.17 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT89

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SGM0410 Datasheet (PDF)

1.1. sgm0410.pdf Size:620K _secos

SGM0410
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SGM0410 3.5A , 100V , RDS(ON) 170 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410 provide the designer with the best A combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 package 4 Top Vie

1.2. sgm0410s.pdf Size:482K _secos

SGM0410
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SGM0410S 2.2A , 100V , RDS(ON) 310 mΩ Ω Ω Ω N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410S provide the designer with the best A combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 pac

 

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