SGM0410 Todos los transistores

 

SGM0410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGM0410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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SGM0410 Datasheet (PDF)

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SGM0410

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 0.1. Size:482K  secos
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SGM0410

SGM0410S 2.2A , 100V , RDS(ON) 310 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410S provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 pac

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History: IRFH3707TRPBF | MTB050P10E3 | IPL60R199CP | SI5933CDC | RF1S4N100SM | SI5403DC | 2SK1758

 

 
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