SGM0410 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGM0410  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: SOT89

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SGM0410 datasheet

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SGM0410

SGM0410S 2.2A , 100V , RDS(ON) 310 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The SGM0410S provide the designer with the best A combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 pac

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