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SSD20N10-130D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSD20N10-130D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SSD20N10-130D datasheet

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SSD20N10-130D

SSD20N10-130D 17A , 100V , RDS(ON) 130m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS

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SSD20N10-130D

SSD20N10-250D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 11A, 100V, RDS(ON) 280m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

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SSD20N10-130D

SSD20N15-250D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 12A, 150V, RDS(ON) 255m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack) process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are

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SSD20N10-130D

SSD20N06-90D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 19A, 60V, RDS(ON) 94 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are

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History: IRF4905L

 

 
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