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SSD20N10-130D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD20N10-130D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SSD20N10-130D Datasheet (PDF)

1.1. ssd20n10-250d.pdf Size:182K _secos

SSD20N10-130D
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SSD20N10-250D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 11A, 100V, RDS(ON) 280m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-

1.2. ssd20n10-130d.pdf Size:80K _secos

SSD20N10-130D
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SSD20N10-130D 17A , 100V , RDS(ON) 130m? N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on)

 3.1. ssd20n15-250d.pdf Size:145K _secos

SSD20N10-130D
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SSD20N15-250D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 12A, 150V, RDS(ON) 255m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack) process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-

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