SSD20N10-130D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSD20N10-130D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SSD20N10-130D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSD20N10-130D даташит
ssd20n10-130d.pdf
SSD20N10-130D 17A , 100V , RDS(ON) 130m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS
ssd20n10-250d.pdf
SSD20N10-250D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 11A, 100V, RDS(ON) 280m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar
ssd20n15-250d.pdf
SSD20N15-250D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 12A, 150V, RDS(ON) 255m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack) process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are
ssd20n06-90d.pdf
SSD20N06-90D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 19A, 60V, RDS(ON) 94 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are
Другие MOSFET... STT3998N , STT4443 , STT6405 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , 13N50 , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K , 2N60D , 2N60F , 2N60I , 2N60P , 2N7002KT .
History: WM02DN560Q | WMK4N150D1 | FDD6030BL | WMP10N65C4 | WFJ5N65B
History: WM02DN560Q | WMK4N150D1 | FDD6030BL | WMP10N65C4 | WFJ5N65B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055




