SST3585 Todos los transistores

 

SST3585 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SST3585
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8(17) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(50) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

 Búsqueda de reemplazo de SST3585 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SST3585 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:649K  secos
sst3585.pdf pdf_icon

SST3585

SST3585 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m-2.5A, -20V, RDS(ON) 160mElektronische Bauelemente N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-26 The SST3585 provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 package is univ

Otros transistores... STT6405 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , 4N60 , 2N4003K , 2N60D , 2N60F , 2N60I , 2N60P , 2N7002KT , 2SK3018W , 2SK3019T .

History: SSM9564GM | IPI65R280E6 | HY1506I | IPL65R650C6S | IRF5806 | AOD3T40P | STB200N4F3

 

 
Back to Top

 


 
.