SST3585 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST3585
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8(17) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(50) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de SST3585 MOSFET
SST3585 Datasheet (PDF)
sst3585.pdf

SST3585 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m-2.5A, -20V, RDS(ON) 160mElektronische Bauelemente N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-26 The SST3585 provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 package is univ
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History: SSM9564GM | IPI65R280E6 | HY1506I | IPL65R650C6S | IRF5806 | AOD3T40P | STB200N4F3
History: SSM9564GM | IPI65R280E6 | HY1506I | IPL65R650C6S | IRF5806 | AOD3T40P | STB200N4F3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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