Справочник MOSFET. SST3585

 

SST3585 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SST3585
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8(17) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55(50) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для SST3585

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SST3585 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:649K  secos
 sst3585.pdf pdf_icon

SST3585

SST3585 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m-2.5A, -20V, RDS(ON) 160mElektronische Bauelemente N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-26 The SST3585 provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 package is univ

Другие MOSFET... STT6405 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , 4N60 , 2N4003K , 2N60D , 2N60F , 2N60I , 2N60P , 2N7002KT , 2SK3018W , 2SK3019T .

History: IRFP451FI | WMO13N50C4 | NCE4963 | SFW9Z34TM | 9N80 | 2SK767 | IPD640N06L

 

 
Back to Top

 


 
.