MGSF1P02 Todos los transistores

 

MGSF1P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGSF1P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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MGSF1P02 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola

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MGSF1P02Power MOSFETP-Channel3 DRAINSOT-23Features:31*Low On-Resistance : 0.35 GATE1 *Low Input Capacitance: 130 PF2*Low Out put Capacitance : 120 PF2SOURCE*Low Threshole : 1.7V(TYE)*Fast Switching Speed : 2.5nsMaximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)Rating Symbol Value UnitVDSSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 20 VI

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History: IRFR15N20D | SRT15N050HS2 | IRFPS38N60LPBF | SRT10N047HS2 | AUIRF1010Z | IRF7483MTRPBF | SFG10R10DF

 

 
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