MGSF1P02 Todos los transistores

 

MGSF1P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGSF1P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT23

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MGSF1P02 datasheet

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MGSF1P02

MGSF1P02 Power MOSFET P-Channel 3 DRAIN SOT-23 Features 3 1 *Low On-Resistance 0.35 GATE 1 *Low Input Capacitance 130 PF 2 *Low Out put Capacitance 120 PF 2 SOURCE *Low Threshole 1.7V(TYE) *Fast Switching Speed 2.5ns Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified) Rating Symbol Value Unit VDSS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 20 V I

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGSF1P02LT1/D MGSF1P02LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel P CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGSF1P02LT1/D MGSF1P02LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel P CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola

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History: WML9N90D1B | WML100N07TS

 

 

 

 

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