MGSF1P02 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MGSF1P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для MGSF1P02
MGSF1P02 Datasheet (PDF)
mgsf1p02.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1p02.pdf

MGSF1P02Power MOSFETP-Channel3 DRAINSOT-23Features:31*Low On-Resistance : 0.35 GATE1 *Low Input Capacitance: 130 PF2*Low Out put Capacitance : 120 PF2SOURCE*Low Threshole : 1.7V(TYE)*Fast Switching Speed : 2.5nsMaximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)Rating Symbol Value UnitVDSSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 20 VI
mgsf1p02lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1p02lt1rev2.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
Другие MOSFET... 2SK3019T , 2SK3541M , 4N60D , 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , 8N60P , P0903BDG , WT4410M , WTC1333 , WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 .
History: SML5022BN | IRFP4768PBF | 2SK989 | STP95N2LH5 | WMN26N60C4
History: SML5022BN | IRFP4768PBF | 2SK989 | STP95N2LH5 | WMN26N60C4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet