MGSF1P02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MGSF1P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
trⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT23
MGSF1P02 Datasheet (PDF)
mgsf1p02.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1p02.pdf
MGSF1P02Power MOSFETP-Channel3 DRAINSOT-23Features:31*Low On-Resistance : 0.35 GATE1 *Low Input Capacitance: 130 PF2*Low Out put Capacitance : 120 PF2SOURCE*Low Threshole : 1.7V(TYE)*Fast Switching Speed : 2.5nsMaximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)Rating Symbol Value UnitVDSSDrain-Source Voltage 20 VVGSGate-Source Voltage 20 VI
mgsf1p02lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1p02lt1rev2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02LT1/DMGSF1P02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1p02elt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1P02ELT1/DMGSF1P02ELT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single P-ChannelPCHANNELField Effect TransistorsENHANCEMENTMODETMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918