WTC2305DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTC2305DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTC2305DS
WTC2305DS Datasheet (PDF)
wtc2305ds.pdf
WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)
wtc2305.pdf
WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)
wtc2302.pdf
WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)
wtc2301.pdf
WTC2301P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1RDS(ON)
wtc2306.pdf
WTC23063 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET5.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free 130 VOLTAGEGATE2Features:SOURCE* Super High Dense Cell Design For Low RDS(on) RDS(on)
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Liste
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