WTC2305DS Todos los transistores

 

WTC2305DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTC2305DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WTC2305DS datasheet

 ..1. Size:2120K  wietron
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WTC2305DS

WTC2305DS P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET -3.5 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -8 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

 7.1. Size:2328K  wietron
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WTC2305DS

WTC2305 P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET -4.2 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -30 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

 8.1. Size:723K  wietron
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WTC2305DS

WTC2302 N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET 2.3 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOUCE VOLTAGE 20 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low R DS(ON) 1 RDS(ON)

 8.2. Size:566K  wietron
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WTC2305DS

WTC2301 P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET -2.3 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE -20 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

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History: IXFB170N30P | WMM037N10HGS | VS6412AE

 

 

 

 

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