WTC2306 Todos los transistores

 

WTC2306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTC2306
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WTC2306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  wietron
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WTC2306

WTC23063 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET5.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free 130 VOLTAGEGATE2Features:SOURCE* Super High Dense Cell Design For Low RDS(on) RDS(on)

 8.1. Size:2120K  wietron
 wtc2305ds.pdf pdf_icon

WTC2306

WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 8.2. Size:723K  wietron
 wtc2302.pdf pdf_icon

WTC2306

WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 8.3. Size:2328K  wietron
 wtc2305.pdf pdf_icon

WTC2306

WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

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History: RD3U040CN | JMSL0406AG | TMB120N08A | NCEP045N10 | IRFR5410 | SML50C14 | SI5499DC

 

 
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