WTC2306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTC2306
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTC2306
WTC2306 Datasheet (PDF)
wtc2306.pdf
WTC23063 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET5.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free 130 VOLTAGEGATE2Features:SOURCE* Super High Dense Cell Design For Low RDS(on) RDS(on)
wtc2305ds.pdf
WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)
wtc2302.pdf
WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)
wtc2305.pdf
WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)
wtc2301.pdf
WTC2301P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1RDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQD4P25TM-WS | FQD2N80TM
History: FQD4P25TM-WS | FQD2N80TM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918