WTD9973 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTD9973
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de WTD9973 MOSFET
WTD9973 Datasheet (PDF)
wtd9973.pdf

WTD9973Surface Mount N-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN14 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)4SOURCE RDS(ON)
Otros transistores... WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 , WTD9435 , WTD9575 , K2611 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , WTK6679 , WTK6680 .
History: SML1001R3HN | SSH5N90A | HY1906C2
History: SML1001R3HN | SSH5N90A | HY1906C2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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