WTD9973 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WTD9973
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WTD9973 Datasheet (PDF)
wtd9973.pdf

WTD9973Surface Mount N-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN14 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)4SOURCE RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KP778V | AFN8968 | WSP4982 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV
History: KP778V | AFN8968 | WSP4982 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet