WTD9973 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WTD9973
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WTD9973
WTD9973 Datasheet (PDF)
wtd9973.pdf
WTD9973Surface Mount N-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN14 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)4SOURCE RDS(ON)
Другие MOSFET... WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 , WTD9435 , WTD9575 , 8N60 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , WTK6679 , WTK6680 .
History: SML1002RAN | WSC40N06 | MXP4003CTS | PRHP020N06 | IRLR8729TR | 2SJ551 | PJM2309PSC
History: SML1002RAN | WSC40N06 | MXP4003CTS | PRHP020N06 | IRLR8729TR | 2SJ551 | PJM2309PSC
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet


