WTK4435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTK4435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SOP8
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WTK4435 datasheet
wtk4435.pdf
WTK4435 Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET DRAIN CURRENT P b Lead(Pb)-Free -8 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -30 VOLTAGE Features * Super high dense * Cell design for low RDS(ON) * R
wtk4424.pdf
WTK4424 Surface Mount N-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode MOSFET 13.8 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE P b Lead(Pb)-Free 30 VOLTAGE Description The WTK4424 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 1 The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount
Otros transistores... WTD40N03 , WTD9435 , WTD9575 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , STP65NF06 , WTK4501 , WTK6679 , WTK6680 , WTK9410 , WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 .
History: SGSP358
History: SGSP358
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