WTK4435 Todos los transistores

 

WTK4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTK4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

WTK4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1343K  wietron
 wtk4435.pdf pdf_icon

WTK4435

WTK4435Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGEFeatures:* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

 9.1. Size:376K  wietron
 wtk4424.pdf pdf_icon

WTK4435

WTK4424Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode MOSFET13.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free30 VOLTAGEDescription:The WTK4424 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.1The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount

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History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT

 

 
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