WTK6680 Todos los transistores

 

WTK6680 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTK6680
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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WTK6680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  wietron
 wtk6680.pdf pdf_icon

WTK6680

WTK6680Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode MOSFET11.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free30 VOLTAGEDescription:The WTK6680 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.1The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount

 9.1. Size:1082K  wietron
 wtk6679.pdf pdf_icon

WTK6680

WTK6679Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-14 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-30 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

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History: FDP030N06 | AP4533GEM-HF | IRFI9520N | FTK50P03PDFN56 | IRFI9620G | AP3R303GMT-HF

 

 
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