WTK6680 Todos los transistores

 

WTK6680 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTK6680

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP8

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WTK6680 datasheet

 ..1. Size:683K  wietron
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WTK6680

WTK6680 Surface Mount N-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode MOSFET 11.5 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE P b Lead(Pb)-Free 30 VOLTAGE Description The WTK6680 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 1 The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount

 9.1. Size:1082K  wietron
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WTK6680

WTK6679 Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET DRAIN CURRENT P b Lead(Pb)-Free -14 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE Features -30 VOLTAGE * Super high dense * Cell design for low RDS(ON) * R

Otros transistores... WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , WTK6679 , IRFZ48N , WTK9410 , WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 .

History: H04N60F | LSE50R160HT | ME2612-G | LSE55R140GT | LSB65R180HT | SVT25600NF | AP9974GP

 

 

 

 

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