WTN9435 Todos los transistores

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WTN9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTN9435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 222 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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WTN9435 Datasheet (PDF)

1.1. wtn9435.pdf Size:529K _wietron

WTN9435
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WTN9435 Surface Mount P-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET -6.0 AMPERES 2,4 DRAIN DRAIN SOURCE VOLTAGE P b Lead(Pb)-Free -30 VOLTAGE 1 GATE 4 1. GATE 2. DRAIN Features: 1 3. SOURCE 3 2 SOURCE 4. DRAIN 3 * Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON) < 50m? @ VGS = -10V SOT-223 * Simple Drive Requirement * Lower On-Resistance * Fast Switching Maxi

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