WTN9973 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTN9973
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de WTN9973 MOSFET
WTN9973 Datasheet (PDF)
wtn9973.pdf

WTN9973Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET 3.9 AMPERES 2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGE60 VOLTAGE14GATE1. GATE 12. DRAIN 23 SOURCE 33. SOURCE4. DRAINFeatures:SOT-223 *Super high dense cell design for low RDS(ON)*SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON)RDS(ON
Otros transistores... WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , 2N7002 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A .
History: STP15NM60ND | CS3N80FA9 | SML5030HN | NTD110N02RG | SE120120G | NTMFS5C612NLT1G | NCEP60ND30AG
History: STP15NM60ND | CS3N80FA9 | SML5030HN | NTD110N02RG | SE120120G | NTMFS5C612NLT1G | NCEP60ND30AG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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