Справочник MOSFET. WTN9973

 

WTN9973 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTN9973
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для WTN9973

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTN9973 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:772K  wietron
 wtn9973.pdf pdf_icon

WTN9973

WTN9973Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET 3.9 AMPERES 2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGE60 VOLTAGE14GATE1. GATE 12. DRAIN 23 SOURCE 33. SOURCE4. DRAINFeatures:SOT-223 *Super high dense cell design for low RDS(ON)*SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON)RDS(ON

Другие MOSFET... WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , 2N7002 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A .

History: VBZM8N60 | SSP65R080SFD3 | SSF53A0E

 

 
Back to Top

 


 
.