WTN9973 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WTN9973
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для WTN9973
WTN9973 Datasheet (PDF)
wtn9973.pdf
WTN9973Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET 3.9 AMPERES 2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGE60 VOLTAGE14GATE1. GATE 12. DRAIN 23 SOURCE 33. SOURCE4. DRAINFeatures:SOT-223 *Super high dense cell design for low RDS(ON)*SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON)RDS(ON
Другие MOSFET... WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , MMIS60R580P , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A .
History: 2SK2527-01MR | 2SK3365-Z | CEU630N | IRF60R217 | SI8499DB
History: 2SK2527-01MR | 2SK3365-Z | CEU630N | IRF60R217 | SI8499DB
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor


