WTN9973. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WTN9973

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для WTN9973

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTN9973 даташит

 ..1. Size:772K  wietron
 wtn9973.pdf pdf_icon

WTN9973

WTN9973 Surface Mount N-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET 3.9 AMPERES 2,4 DRAIN DRAIN SOURCE VOLTAGE 60 VOLTAGE 1 4 GATE 1. GATE 1 2. DRAIN 2 3 SOURCE 3 3. SOURCE 4. DRAIN Features SOT-223 *Super high dense cell design for low RDS(ON) * S u p e r h i g h d e n s e c e l l d e s i g n f o r l o w R D S ( O N ) RDS(ON

Другие IGBT... WTK9431, WTK9435, WTK9971, WTL2602, WTL2622, WTM2310A, WTN9435, WTN9575, MMIS60R580P, WTU1333, WTX1012, WTX7002, CEA6200, CEA6426, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A