CEB01N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB01N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB01N65 datasheet

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CEB01N65

CEP01N65/CEB01N65 CEF01N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N65 650V 10.5 1.3A 10V CEB01N65 650V 10.5 1.3A 10V CEF01N65 650V 10.5 1.3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SE

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CEB01N65

CEP01N6G/CEB01N6G CEF01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N6G 600V 9.3 1A 10V CEB01N6G 600V 9.3 1A 10V CEF01N6G 600V 9.3 1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(DD-PA

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