CEB01N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB01N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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CEB01N65 Datasheet (PDF)
cep01n65 ceb01n65 cef01n65.pdf
CEP01N65/CEB01N65 CEF01N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP01N65 650V 10.5 1.3A 10VCEB01N65 650V 10.5 1.3A 10VCEF01N65 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SE
cep01n6g ceb01n6g cef01n6g.pdf
CEP01N6G/CEB01N6G CEF01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP01N6G 600V 9.3 1A 10VCEB01N6G 600V 9.3 1A 10VCEF01N6G 600V 9.3 1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(DD-PA
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Liste
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