CEB04N6 Todos los transistores

 

CEB04N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB04N6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

CEB04N6 Datasheet (PDF)

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CEB04N6

CEP04N6/CEB04N6CEF04N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP04N6 600V 2.4 4.2A 10VCEB04N6 600V 2.4 4.2A 10VCEF04N6 600V 2.4 4.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

 0.1. Size:358K  cet
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CEB04N6

CEP04N65/CEB04N65CEF04N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP04N65 650V 2.8 4A 10VCEB04N65 650V 2.8 4A 10VCEF04N65 650V 2.8 4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

 8.1. Size:440K  cet
 cep04n7g ceb04n7g cef04n7g.pdf pdf_icon

CEB04N6

CEP04N7G/CEB04N7G CEF04N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP04N7G 700V 3.3 4A 10VCEB04N7G 700V 3.3 4A 10VCEF04N7G 700V 3.3 4A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PA

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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