CEF07N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEF07N65A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 58 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEF07N65A
CEF07N65A Datasheet (PDF)
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CEP07N65A/CEB07N65ACEF07N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP07N65A 650V 1.45 7A 10VCEB07N65A 650V 1.45 7A 10VCEF07N65A 650V 1.45 7A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CE
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CEP07N65/CEB07N65CEF07N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP07N65 650V 1.3 7A 10VCEB07N65 650V 1.3 7A 10VCEF07N65 650V 1.3 7A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER
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CEP07N7/CEB07N7CEF07N7PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP07N7 700V 1.5 6.6A 10VCEB07N7 700V 1.5 6.6A 10VCEF07N7 700V 1.5 6.6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER
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