CEP20A03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP20A03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 139 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 197 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 96 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1055 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP20A03
CEP20A03 Datasheet (PDF)
cep20a03 ceb20a03.pdf
CEP20A03/CEB20A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 197A, RDS(ON) = 2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE
cep20p10 ceb20p10.pdf
CEP20P10/CEB20P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-100V, -20A, RDS(ON) =130m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unles
cep20p06 ceb20p06.pdf
CEP20P06/CEB20P06P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -14A, RDS(ON) =125m @VGS = -10V.RDS(ON) =175m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
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History: SVF20NE50PN | STP270N04
