CEP20A03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEP20A03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 197 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1055 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для CEP20A03
CEP20A03 Datasheet (PDF)
cep20a03 ceb20a03.pdf

CEP20A03/CEB20A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 197A, RDS(ON) = 2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE
cep20p10 ceb20p10.pdf

CEP20P10/CEB20P10P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-100V, -20A, RDS(ON) =130m @VGS = -10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unles
cep20p06 ceb20p06.pdf

CEP20P06/CEB20P06P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -14A, RDS(ON) =125m @VGS = -10V.RDS(ON) =175m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
Другие MOSFET... CEP07N7 , CEB13N5A , CEF13N5A , CEP13N5A , CEB08N8 , CEF08N8 , CEP08N8 , CEB20A03 , IRF1407 , CEB14G04 , CEP14G04 , CEB15A03 , CEP15A03 , CEB14A04 , CEP14A04 , CEB140N10 , CEP140N10 .
History: 2SK1170 | NVH4L160N120SC1 | YJG85G06AK | MMN4326 | IRFH5250PBF | BLS60R360-U | FDD7N60NZTM
History: 2SK1170 | NVH4L160N120SC1 | YJG85G06AK | MMN4326 | IRFH5250PBF | BLS60R360-U | FDD7N60NZTM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor