CEB12N6 Todos los transistores

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CEB12N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB12N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 58 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.65 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB12N6

CEB12N6 Datasheet (PDF)

1.1. cep12n65_ceb12n65_cef12n65.pdf Size:386K _cet

CEB12N6
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CEP12N65/CEB12N65 CEF12N65 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP12N65 650V 0.73? 12A 10V CEB12N65 650V 0.73? 12A 10V CEF12N65 650V 0.73? 12A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

1.2. cep12n6_ceb12n6_cef12n6.pdf Size:411K _cet

CEB12N6
CEB12N6

CEP12N6/CEB12N6 CEF12N6 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP12N6 600V 0.65? 12A 10V CEB12N6 600V 0.65? 12A 10V CEF12N6 600V 0.65? 12A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(D

4.1. cep12n5_ceb12n5_cef12n5.pdf Size:396K _cet

CEB12N6
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CEP12N5/CEB12N5 CEF12N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP12N5 500V 0.54? 12A 10V CEB12N5 500V 0.54? 12A 10V CEF12N5 500V 0.54? 12A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(D

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