CEP21A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP21A2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CEP21A2 MOSFET
CEP21A2 Datasheet (PDF)
cep21a2 ceb21a2.pdf

CEP21A2/CEB21A2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 25A,RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability. DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2
Otros transistores... CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , IRFB4115 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 .
History: IPD60R450E6 | IPD06N03LBG | FK3906010L | AON6458 | TPM3008EP3 | HAT1047RJ | AON6572
History: IPD60R450E6 | IPD06N03LBG | FK3906010L | AON6458 | TPM3008EP3 | HAT1047RJ | AON6572



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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