CEP21A2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP21A2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CEP21A2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEP21A2 datasheet

 ..1. Size:124K  cet
 cep21a2 ceb21a2.pdf pdf_icon

CEP21A2

CEP21A2/CEB21A2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A,RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Otros transistores... CEB6042, CEB6056, CEB6060L, CEB6060N, CEB6086L, CEB60N06G, CEB60N10, CEB6186, AO3400, CEP3060, CEP30N15L, CEP3100, CEP3120, CEP3205, CEP4060A, CEP4060AL, CEP45N10