CEP21A2 Todos los transistores

 

CEP21A2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP21A2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CEP21A2 PDF Specs

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CEP21A2

CEP21A2/CEB21A2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A,RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2... See More ⇒

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History: VBJ2102M

 

 
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