CEP45N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP45N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CEP45N10 MOSFET
CEP45N10 Datasheet (PDF)
cep45n10 ceb45n10.pdf

CEP45N10/CEB45N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 44A, RDS(ON) = 39m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Otros transistores... CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL , SKD502T , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N , CEP6036 , CEP6042 , CEP6056 , CEP6060L , CEP6060N .
History: DH240N06LI | GSM4048WS | DH400P06LD | DH140N10B | PSMN1R2-25YLC
History: DH240N06LI | GSM4048WS | DH400P06LD | DH140N10B | PSMN1R2-25YLC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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