CEP6036 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP6036  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: TO220

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CEP6036 datasheet

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CEP6036

CEP6036/CEB6036 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 135A, RDS(ON) = 4.6m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot

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CEP6036

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CEP6036

CEP6030L/CEB6030L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 52A,RDS(ON) = 13.5m @VGS = 10V. RDS(ON) = 20m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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CEP6036

http //www.ncepower.com NCEP6035AQU NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6035AQU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high V =60V,I =35A DS D frequency switching performance. Both conduction and R =10.0m (typical) @ V =10V DS(ON) GS switching power losses are minimized due to an extremely low

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