CEP6036 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP6036

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 167 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 135 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 23 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0046 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP6036

CEP6036 Datasheet (PDF)

1.1. cep6036 ceb6036.pdf Size:421K _cet

CEP6036/CEB6036 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 135A, RDS(ON) = 4.6m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwi

4.1. cep603al ceb603al.pdf Size:520K _upd-mosfet

4.2. cep6030l ceb6030l.pdf Size:82K _update-mosfet

CEP6030L/CEB6030L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 52A,RDS(ON) = 13.5mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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Liste

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