CEP6036 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEP6036
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 138 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO220
CEP6036 Datasheet (PDF)
cep6036 ceb6036.pdf
CEP6036/CEB6036N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 135A, RDS(ON) = 4.6m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot
cep6030l ceb6030l.pdf
CEP6030L/CEB6030LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 52A,RDS(ON) = 13.5m @VGS = 10V. RDS(ON) = 20m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
ncep6035aqu.pdf
http://www.ncepower.com NCEP6035AQUNCE N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEP6035AQU uses Super Trench technology that isGeneral Featuresuniquely optimized to provide the most efficient high V =60V,I =35ADS Dfrequency switching performance. Both conduction and R =10.0m (typical) @ V =10VDS(ON) GSswitching power losses are minimized due to an extremely low
ncep6035ag.pdf
http://www.ncepower.com NCEP6035AGNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6035AG uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =60V,ID =35A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=9.8m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918