CEF740A Todos los transistores

 

CEF740A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF740A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CEF740A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEF740A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf pdf_icon

CEF740A

CEP740A/CEB740ACEF740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740A 400V 0.55 10A 10VCEB740A 400V 0.55 10A 10VCEF740A 400V 0.55 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(D

 8.1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf pdf_icon

CEF740A

CEP740G/CEB740G CEF740GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740G 400V 0.55 10A 10VCEB740G 400V 0.55 10A 10VCEF740G 400V 0.55 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIEST

Otros transistores... CEP6060N , CEP6086 , CEP6086L , CEP60N06G , CEP60N10 , CEP6186 , CEF630N , CEF730G , IRF530 , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N .

History: CEF80N15 | CEP60N10 | FQD7P06TF

 

 
Back to Top

 


 
.