CEB73A3G Todos los transistores

 

CEB73A3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB73A3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB73A3G Datasheet (PDF)

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CEB73A3G

CEP73A3G/CEB73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEB73A3G

CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

Otros transistores... CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , P60NF06 , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G .

History: 4N65D | HTN027N03P | BSC072N08NS5 | HY3312PS | SVS11N65T | BUK7620-55A | 15NM70G-TM3-T

 

 
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