Справочник MOSFET. CEB73A3G

 

CEB73A3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB73A3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB73A3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB73A3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 cep73a3g ceb73a3g.pdf pdf_icon

CEB73A3G

CEP73A3G/CEB73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEB73A3G

CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

Другие MOSFET... CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , P60NF06 , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G .

History: SVGP104R5NS | 4N65D | CSD18509Q5B | HY3312PS | 15NM70G-TM3-T | HFP12N60S | SVS11N65T

 

 
Back to Top

 


 
.