CEB73A3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB73A3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB73A3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB73A3G даташит

 ..1. Size:394K  cet
 cep73a3g ceb73a3g.pdf pdf_icon

CEB73A3G

CEP73A3G/CEB73A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEB73A3G

CEP730G/CEB730G CEF730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP730G 400V 1 5.5A 10V CEB730G 400V 1 5.5A 10V CEF730G 400V 1 5.5A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

Другие IGBT... CEF80N15, CEF830G, CEF840A, CEF840G, CEF840L, CEF85N75, CEB630N, CEB730G, AO4407, CEB740A, CEB740G, CEB75A3, CEB75N06, CEB75N06G, CEB75N10, CEB80N15, CEB830G