CEB73A3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEB73A3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 265 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO263
CEB73A3G Datasheet (PDF)
cep73a3g ceb73a3g.pdf
CEP73A3G/CEB73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM R
cep730g ceb730g cef730g.pdf
CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
