CEB740A Todos los transistores

 

CEB740A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB740A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB740A Datasheet (PDF)

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CEB740A

CEP740A/CEB740ACEF740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740A 400V 0.55 10A 10VCEB740A 400V 0.55 10A 10VCEF740A 400V 0.55 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(D

 8.1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf pdf_icon

CEB740A

CEP740G/CEB740G CEF740GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740G 400V 0.55 10A 10VCEB740G 400V 0.55 10A 10VCEF740G 400V 0.55 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIEST

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History: BUK764R4-60E | FQD7N20TF | HGN035N10A | PH9030L | SQM85N03-06P | AP9970GW-HF

 

 
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