CEB740A Todos los transistores

 

CEB740A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB740A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de CEB740A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEB740A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf pdf_icon

CEB740A

CEP740A/CEB740ACEF740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740A 400V 0.55 10A 10VCEB740A 400V 0.55 10A 10VCEF740A 400V 0.55 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(D

 8.1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf pdf_icon

CEB740A

CEP740G/CEB740G CEF740GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740G 400V 0.55 10A 10VCEB740G 400V 0.55 10A 10VCEF740G 400V 0.55 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIEST

Otros transistores... CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , CEB73A3G , 18N50 , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G , CEB83A3 .

History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
Back to Top

 


 
.