CEB84A4 Todos los transistores

 

CEB84A4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB84A4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB84A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  cet
 cep84a4 ceb84a4.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP84A4/CEB84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 90A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

 9.1. Size:435K  cet
 cep840a ceb840a cef840a.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP840A/CEB840ACEF840APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840A 500V 0.85 8.5A 10VCEB840A 500V 0.85 8.5A 10VCEF840A 500V 0.85 8.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF

 9.2. Size:396K  cet
 cep840l ceb840l cef840l.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP840L/CEB840L CEF840LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840L 500V 0.8 8A 10VCEB840L 500V 0.8 8A 10VCEF840L 500V 0.8 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 9.3. Size:398K  cet
 cep840g ceb840g cef840g.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP840G/CEB840G CEF840GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840G 500V 0.85 8A 10VCEB840G 500V 0.85 8A 10VCEF840G 500V 0.85 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-2

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History: IXTH20N60 | UTT120N06 | IXTP70N075T2

 

 
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