CEB84A4 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEB84A4 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEB84A4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB84A4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB84A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  cet
 cep84a4 ceb84a4.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP84A4/CEB84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 90A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

 9.1. Size:435K  cet
 cep840a ceb840a cef840a.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP840A/CEB840ACEF840APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840A 500V 0.85 8.5A 10VCEB840A 500V 0.85 8.5A 10VCEF840A 500V 0.85 8.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF

 9.2. Size:396K  cet
 cep840l ceb840l cef840l.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP840L/CEB840L CEF840LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840L 500V 0.8 8A 10VCEB840L 500V 0.8 8A 10VCEF840L 500V 0.8 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 9.3. Size:398K  cet
 cep840g ceb840g cef840g.pdf pdf_icon

CEB84A4

CEP840G/CEB840G CEF840GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840G 500V 0.85 8A 10VCEB840G 500V 0.85 8A 10VCEF840G 500V 0.85 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G , CEB83A3 , CEB83A3G , CEB840A , CEB840G , CEB840L , NCEP15T14 , CEB85A3 , CEB85N75 , CEB85N75V , CEB9060N , CEP630N , CEP730G , CEP73A3G , CEP740A .

 

 
Back to Top

 


 
.