CEB84A4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEB84A4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 385 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0051 Ohm
Тип корпуса: TO263
CEB84A4 Datasheet (PDF)
cep84a4 ceb84a4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP84A4/CEB84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 90A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
cep840a ceb840a cef840a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP840A/CEB840ACEF840APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840A 500V 0.85 8.5A 10VCEB840A 500V 0.85 8.5A 10VCEF840A 500V 0.85 8.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF
cep840l ceb840l cef840l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP840L/CEB840L CEF840LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840L 500V 0.8 8A 10VCEB840L 500V 0.8 8A 10VCEF840L 500V 0.8 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(
cep840g ceb840g cef840g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP840G/CEB840G CEF840GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840G 500V 0.85 8A 10VCEB840G 500V 0.85 8A 10VCEF840G 500V 0.85 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-2
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![CEB84A4](https://alltransistors.com/images/us.png)
![CEB84A4](https://alltransistors.com/images/es.png)
![CEB84A4](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C