CEB85A3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB85A3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB85A3 datasheet

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CEB85A3

CEP85A3/CEB85A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 90A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-263 & TO-220 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

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CEB85A3

CEP85N75V/CEB85N75V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 75V, 85A, RDS(ON) = 12m @VGS = 12V. RDS(ON) = 13m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE

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CEB85A3

CEP85N75/CEB85N75 CEF85N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP85N75 75V 12m 86A 10V CEB85N75 75V 12m 86A 10V CEF85N75 75V 12m 86A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through

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