CEB85N75 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB85N75
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: TO263
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CEB85N75 datasheet
cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf
CEP85N75/CEB85N75 CEF85N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP85N75 75V 12m 86A 10V CEB85N75 75V 12m 86A 10V CEF85N75 75V 12m 86A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through
cep85n75v ceb85n75v.pdf
CEP85N75V/CEB85N75V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 75V, 85A, RDS(ON) = 12m @VGS = 12V. RDS(ON) = 13m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE
cep85a3 ceb85a3.pdf
CEP85A3/CEB85A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 25V, 90A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-263 & TO-220 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25
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