CEB9060N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB9060N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 765 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB9060N datasheet

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CEB9060N

CEP9060N/CEB9060N CEF9060N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP9060N 55V 10.5m 90A 10V CEB9060N 55V 10.5m 90A 10V CEF9060N 55V 10.5m 90A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for

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