CEP630N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP630N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO220

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CEP630N datasheet

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CEP630N

CEP630N/CEB630N CEF630N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP630N 200V 0.36 9A 10V CEB630N 200V 0.36 9A 10V CEF630N 200V 0.36 9A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)

Otros transistores... CEB840A, CEB840G, CEB840L, CEB84A4, CEB85A3, CEB85N75, CEB85N75V, CEB9060N, P60NF06, CEP730G, CEP73A3G, CEP740A, CEP740G, CEP75A3, CEP75N06, CEP75N06G, CEP75N10