CEP630N Todos los transistores

 

CEP630N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP630N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CEP630N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cet
 cep630n ceb630n cef630n.pdf pdf_icon

CEP630N

CEP630N/CEB630N CEF630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP630N 200V 0.36 9A 10VCEB630N 200V 0.36 9A 10VCEF630N 200V 0.36 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Otros transistores... CEB840A , CEB840G , CEB840L , CEB84A4 , CEB85A3 , CEB85N75 , CEB85N75V , CEB9060N , AO3401 , CEP730G , CEP73A3G , CEP740A , CEP740G , CEP75A3 , CEP75N06 , CEP75N06G , CEP75N10 .

History: GP2M002A060XG | SI7682DP

 

 
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