Справочник MOSFET. CEP630N

 

CEP630N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP630N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP630N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP630N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cet
 cep630n ceb630n cef630n.pdf pdf_icon

CEP630N

CEP630N/CEB630N CEF630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP630N 200V 0.36 9A 10VCEB630N 200V 0.36 9A 10VCEF630N 200V 0.36 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Другие MOSFET... CEB840A , CEB840G , CEB840L , CEB84A4 , CEB85A3 , CEB85N75 , CEB85N75V , CEB9060N , AO3401 , CEP730G , CEP73A3G , CEP740A , CEP740G , CEP75A3 , CEP75N06 , CEP75N06G , CEP75N10 .

History: 8N60L-TF2-T | 2SK135 | FQD6N25TM | STWA20N95DK5 | BSC018N04LSG | FQU13N10 | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.