CEP73A3G Todos los transistores

 

CEP73A3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP73A3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CEP73A3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEP73A3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 cep73a3g ceb73a3g.pdf pdf_icon

CEP73A3G

CEP73A3G/CEB73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEP73A3G

CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

Otros transistores... CEB840L , CEB84A4 , CEB85A3 , CEB85N75 , CEB85N75V , CEB9060N , CEP630N , CEP730G , RU6888R , CEP740A , CEP740G , CEP75A3 , CEP75N06 , CEP75N06G , CEP75N10 , CEP80N15 , CEP830G .

History: SI9926CDY | 2SK2572 | UTT25N08

 

 
Back to Top

 


 
.