CEP740G Todos los transistores

 

CEP740G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP740G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CEP740G Datasheet (PDF)

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CEP740G
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CEP740G/CEB740G CEF740G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP740G 400V 0.55? 10A 10V CEB740G 400V 0.55? 10A 10V CEF740G 400V 0.55? 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-

4.1. cep740a ceb740a cef740a.pdf Size:434K _cet

CEP740G
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CEP740A/CEB740A CEF740A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP740A 400V 0.55? 10A 10V CEB740A 400V 0.55? 10A 10V CEF740A 400V 0.55? 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) T

 

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