CEP80N15 Todos los transistores

 

CEP80N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP80N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CEP80N15 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEP80N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  cet
 cep80n15 ceb80n15 cef80n15.pdf pdf_icon

CEP80N15

CEP80N15/CEB80N15CEF80N15N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP80N15 150V 19m 76A 10VCEB80N15 150V 19m 76A 10VCEF80N15 150V 19m 76A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak

Otros transistores... CEP730G , CEP73A3G , CEP740A , CEP740G , CEP75A3 , CEP75N06 , CEP75N06G , CEP75N10 , IRF1405 , CEP830G , CEP83A3 , CEP83A3G , CEP840A , CEP840G , CEP840L , CEP84A4 , CEP85A3 .

History: CEB6060N | NTD4965N-1G | IXTQ96N15P | HGP640N25S | HSU4103 | PHP160NQ08T | IXFH160N15T2

 

 
Back to Top

 


 
.