CEP830G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP830G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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CEP830G datasheet

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CEP830G

CEP830G/CEB830G CEF830G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP830G 500V 1.5 5A 10V CEB830G 500V 1.5 5A 10V CEF830G 500V 1.5 5A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

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CEP830G

CEP83A3G/CEB83A3G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 102A, RDS(ON) = 4.2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2 m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE

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CEP830G

CEP83A3/CEB83A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 100A, RDS(ON) = 5.3m @VGS = 10V. RDS(ON) = 8.0m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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