CEP830G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEP830G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP830G

CEP830G Datasheet (PDF)

..1. Size:396K cet
cep830g ceb830g cef830g.pdf

CEP830G/CEB830G CEF830GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP830G 500V 1.5 5A 10VCEB830G 500V 1.5 5A 10VCEF830G 500V 1.5 5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

9.1. Size:396K cet
cep83a3g ceb83a3g.pdf

CEP83A3G/CEB83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 102A, RDS(ON) = 4.2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE

9.2. Size:398K cet
cep83a3 ceb83a3.pdf

CEP83A3/CEB83A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES30V, 100A, RDS(ON) = 5.3m @VGS = 10V. RDS(ON) = 8.0m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: