CEP83A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP83A3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 53 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 980 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0053 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP83A3

CEP83A3 Datasheet (PDF)

..1. cep83a3 ceb83a3.pdf Size:398K _cet

CEP83A3/CEB83A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES30V, 100A, RDS(ON) = 5.3m @VGS = 10V. RDS(ON) = 8.0m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

0.1. cep83a3g ceb83a3g.pdf Size:396K _cet

CEP83A3G/CEB83A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 102A, RDS(ON) = 4.2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.2 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE

9.1. cep830g ceb830g cef830g.pdf Size:396K _cet

CEP830G/CEB830G CEF830GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP830G 500V 1.5 5A 10VCEB830G 500V 1.5 5A 10VCEF830G 500V 1.5 5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

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Liste

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