CEP840A Todos los transistores

 

CEP840A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP840A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP840A

 

CEP840A Datasheet (PDF)

1.1. cep840a ceb840a cef840a.pdf Size:435K _cet

CEP840A
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CEP840A/CEB840A CEF840A PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP840A 500V 0.85? 8.5A 10V CEB840A 500V 0.85? 8.5A 10V CEF840A 500V 0.85? 8.5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES T

4.1. cep840g ceb840g cef840g.pdf Size:398K _cet

CEP840A
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CEP840G/CEB840G CEF840G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP840G 500V 0.85? 8A 10V CEB840G 500V 0.85? 8A 10V CEF840G 500V 0.85? 8A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK

4.2. cep840l ceb840l cef840l.pdf Size:396K _cet

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CEP840L/CEB840L CEF840L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP840L 500V 0.8? 8A 10V CEB840L 500V 0.8? 8A 10V CEF840L 500V 0.8? 8A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) T

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