CEP840A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP840A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP840A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP840A даташит

 ..1. Size:435K  cet
 cep840a ceb840a cef840a.pdf pdf_icon

CEP840A

CEP840A/CEB840A CEF840A PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP840A 500V 0.85 8.5A 10V CEB840A 500V 0.85 8.5A 10V CEF840A 500V 0.85 8.5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF

 8.1. Size:396K  cet
 cep840l ceb840l cef840l.pdf pdf_icon

CEP840A

CEP840L/CEB840L CEF840L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP840L 500V 0.8 8A 10V CEB840L 500V 0.8 8A 10V CEF840L 500V 0.8 8A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

 8.2. Size:398K  cet
 cep840g ceb840g cef840g.pdf pdf_icon

CEP840A

CEP840G/CEB840G CEF840G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP840G 500V 0.85 8A 10V CEB840G 500V 0.85 8A 10V CEF840G 500V 0.85 8A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-2

 9.1. Size:393K  cet
 cep84a4 ceb84a4.pdf pdf_icon

CEP840A

CEP84A4/CEB84A4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 90A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEP75A3, CEP75N06, CEP75N06G, CEP75N10, CEP80N15, CEP830G, CEP83A3, CEP83A3G, AON7403, CEP840G, CEP840L, CEP84A4, CEP85A3, CEP85N75, CEP85N75V, CEP9060N, CEP93A3