CEP85N75V Todos los transistores

 

CEP85N75V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP85N75V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 670 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CEP85N75V Datasheet (PDF)

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CEP85N75V/CEB85N75VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES75V, 85A, RDS(ON) = 12m @VGS = 12V. RDS(ON) = 13m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE

6.1. cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf Size:434K _cet

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CEP85N75/CEB85N75CEF85N75N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP85N75 75V 12m 86A 10VCEB85N75 75V 12m 86A 10VCEF85N75 75V 12m 86A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through

 9.1. cep85a3 ceb85a3.pdf Size:451K _cet

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CEP85A3/CEB85A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 90A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-263 & TO-220 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

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