CEP93A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP93A3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CEP93A3 MOSFET
CEP93A3 Datasheet (PDF)
cep93a3 ceb93a3.pdf

CEP93A3/CEB93A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES30V, 150A, RDS(ON) = 3.0 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.0 m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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History: DMN3135LVT | STL13N60M2 | IRFU420B | NTD4806N-1G | STP18NM60ND | TK12V60W | STP190NF04
History: DMN3135LVT | STL13N60M2 | IRFU420B | NTD4806N-1G | STP18NM60ND | TK12V60W | STP190NF04



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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