CED04N7G Todos los transistores

 

CED04N7G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED04N7G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED04N7G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  cet
 ceu04n7g ced04n7g.pdf pdf_icon

CED04N7G

CED04N7G/CEU04N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 3.5A, RDS(ON) = 3.3 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot

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 ceu04n65 ced04n65.pdf pdf_icon

CED04N7G

CED04N65/CEU04N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 3.2A, RDS(ON) = 2.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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 ceu04n6 ced04n6.pdf pdf_icon

CED04N7G

CED04N6/CEU04N6N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES600V, 3.4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

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History: 2SK4085LS | HSP6115 | NCE65TF180D | STB95N4F3 | NTB6411ANG

 

 
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