CED04N7G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED04N7G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED04N7G datasheet

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CED04N7G

CED04N7G/CEU04N7G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V, 3.5A, RDS(ON) = 3.3 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot

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CED04N7G

CED04N65/CEU04N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 650V, 3.2A, RDS(ON) = 2.8 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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CED04N7G

CED04N6/CEU04N6 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 600V, 3.4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

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