CED04N7G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CED04N7G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CED04N7G Datasheet (PDF)
ceu04n7g ced04n7g.pdf

CED04N7G/CEU04N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 3.5A, RDS(ON) = 3.3 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot
ceu04n65 ced04n65.pdf

CED04N65/CEU04N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 3.2A, RDS(ON) = 2.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
ceu04n6 ced04n6.pdf

CED04N6/CEU04N6N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES600V, 3.4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SWP066R72E7T | SVS60R190FD4 | SWP80N08V1 | TDM3424
History: SWP066R72E7T | SVS60R190FD4 | SWP80N08V1 | TDM3424



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor