CED05N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED05N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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CED05N65 Datasheet (PDF)
ceu05n65 ced05n65.pdf

CED05N65/CEU05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless
ced05n8.pdf

CED05N8/CEU05N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES800V, 3.4A, RDS(ON) = 2.9 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
ced05p03 ceu05p03.pdf

CED05P03/CEU05P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE
Otros transistores... CED02N6G , CED02N7G , CED02N7G-1 , CED02N9 , CED03N8 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , 10N60 , CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , CED14G04 , CEFF634 , CEFF640 .



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