CEU02N7G Todos los transistores

 

CEU02N7G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU02N7G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU02N7G Datasheet (PDF)

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CEU02N7G

CED02N7G/CEU02N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

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CEU02N7G

CED02N7G-1/CEU02N7G-1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES720V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V.750V@Tc=150 C Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATING

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 ceu02n65g ced02n65g.pdf pdf_icon

CEU02N7G

CED02N65G/CEU02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

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 ceu02n65a ced02n65a.pdf pdf_icon

CEU02N7G

CED02N65A/CEU02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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History: SI4413ADY | STL12N3LLH5 | SFF27N50M | FHA20N50A | GSM1016 | CSFR6N70U | DMP3017SFGQ

 

 
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